Биполярный транзистор - 2N6617
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 150mW |
| Ucb,max | 20V |
| Uce,max | 15V |
| Ueb,max | 3V |
| Ic,max | 10mA |
| Ft,max | 8GHz |
| Cctip,pF | 0.8 |
| Hfe | 35MIN |
| Tj,max | 125ºC |
| Аналоги | BFQ33 KT3132A |
| Изготовитель |
siemensБиполярные транзисторы siemensIGBT транзисторы siemensFET транзисторы siemens |
| Назначение | UHF, Low Power |
| to128 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |