Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 150mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | 3V |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 6GHz |
Cctip,pF | 0.8 |
Hfe | 35MIN |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | BFQ33 KT3132B |
Изготовитель |
siemensБиполярные транзисторы siemensIGBT транзисторы siemensFET транзисторы siemens |
Назначение | UHF, Low Power |
to128 | Распиновка |
---|---|