Биполярный транзистор - 2N6619
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 200mW |
| Ucb,max | 12V |
| Uce,max | 12V |
| Ueb,max | 3V |
| Ic,max | 25mA |
| Ft,max | 2.2GHz |
| Cctip,pF | 0.8 |
| Hfe | 25MIN |
| Tj,max | 125ºC |
| Аналоги | BFR35A KT372B |
| Изготовитель |
siemensБиполярные транзисторы siemensIGBT транзисторы siemensFET транзисторы siemens |
| Назначение | UHF, Low Power |
| to236 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |