Биполярный транзистор - 2N6653-1
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 150W |
| Ucb,max | 350V |
| Uce,max | 300V |
| Ueb,max | 7V |
| Ic,max | 20A |
| Ft,max | 25MHz |
| Cctip,pF | 300 |
| Hfe | 10MIN |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | BUV24 2N6546 |
| Изготовитель |
iprБиполярные транзисторы iprIGBT транзисторы iprFET транзисторы ipr |
| Назначение | Power, High Voltage, General Purpose |
| to3 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |