Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 2W |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 2A |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 80MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BD517 2N3222 KT630D |
Изготовитель |
nscБиполярные транзисторы nscIGBT транзисторы nscFET транзисторы nsc |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to226 | Распиновка |
---|---|