Биполярный транзистор - 2N768
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 35mW |
| Ucb,max | 12V |
| Uce,max | 10V |
| Ueb,max | 1V |
| Ic,max | 100mA |
| Ft,max | 125MHz |
| Cctip,pF | 3 |
| Hfe | 25/60 |
| Tj,max | 100ºC |
| Аналоги | AF124 2N990 GT322V |
| Изготовитель |
idcБиполярные транзисторы idcIGBT транзисторы idcFET транзисторы idc |
| Назначение | VHF, Low Power |
| to18 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |