Биполярный транзистор - 2N826
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 75mW |
| Ucb,max | 30V |
| Uce,max | 20V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 200mA |
| Ft,max | 2MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 100MIN |
| Tj,max | 85ºC |
| Аналоги | ASY27 2N1305 MP42B |
| Изготовитель |
raytheonБиполярные транзисторы raytheonIGBT транзисторы raytheonFET транзисторы raytheon |
| Назначение | Medium Power, Switching, High Frequency |
| u9 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |