Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 4W |
Ucb,max | 24V |
Uce,max | 24V |
Ueb,max | 8V |
Ic,max | 1.5A |
Ft,max | 100KHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 10MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | ADP665 2N1172 GT403V |
Изготовитель |
teslaБиполярные транзисторы teslaIGBT транзисторы teslaFET транзисторы tesla |
Назначение | Power, General Purpose |
to3 | Распиновка |
---|---|