Биполярный транзистор - 2S112

Параметр Значение/Ед.Измерения
Материал Germanium
Полярность pnp
Pc,max 35mW
Ucb,max 20V
Uce,max -
Ueb,max 1V
Ic,max 10mA
Ft,max 10MHz
Cctip,pF 3
Hfe 45T
Tj,max 85ºC
Аналоги AF124 2N1516 GT308A
Изготовитель

toshiba

Биполярные транзисторы toshiba

IGBT транзисторы toshiba

FET транзисторы toshiba

Назначение RF, Low Power, General Purpose
to44-1 Распиновка