Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 1.8W |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 600mA |
Ft,max | 250KHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 25MIN |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AD162 2N141 P213 |
Изготовитель |
fujitsuБиполярные транзисторы fujitsuIGBT транзисторы fujitsuFET транзисторы fujitsu |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
x55-2 | Распиновка |
---|---|