Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 30mW |
Ucb,max | 15V |
Uce,max | 12V |
Ueb,max | 2V |
Ic,max | 5mA |
Ft,max | 4MHz |
Cctip,pF | 4 |
Hfe | 24T |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | ASY28 2N1306 |
Изготовитель |
fujitsuБиполярные транзисторы fujitsuIGBT транзисторы fujitsuFET транзисторы fujitsu |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
r27 | Распиновка |
---|---|