Биполярный транзистор - 2N129
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 30mW |
| Ucb,max | 10V |
| Uce,max | 10V |
| Ueb,max | 4V |
| Ic,max | 5mA |
| Ft,max | 30MHz |
| Cctip,pF | 6 |
| Hfe | 20T |
| Tj,max | 85ºC |
| Аналоги | AF129 2N990 GT309D |
| Изготовитель |
philipsБиполярные транзисторы philipsIGBT транзисторы philipsFET транзисторы philips |
| Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
| to23 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |