Биполярный транзистор - 2S26
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 20W |
| Ucb,max | 60V |
| Uce,max | - |
| Ueb,max | 12V |
| Ic,max | 1.5A |
| Ft,max | 100KHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 35/110 |
| Tj,max | 75ºC |
| Аналоги | ASZ16 2N1007 P217 |
| Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
| Назначение | Power, General Purpose |
| to3 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |