Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 8W |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 32V |
Ueb,max | 12V |
Ic,max | 1.2A |
Ft,max | 200KHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 35/160 |
Tj,max | 85ºC |
Аналоги | AD149 2N1007 |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | Power, General Purpose |
to3 | Распиновка |
---|---|