Биполярный транзистор - 2S42
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 8W |
| Ucb,max | 60V |
| Uce,max | 50V |
| Ueb,max | 12V |
| Ic,max | 1.2A |
| Ft,max | 200KHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 35/160 |
| Tj,max | 85ºC |
| Аналоги | AD131 2N1007 |
| Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
| Назначение | Power, General Purpose |
| to3 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |