Биполярный транзистор - 2S45
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 20mW |
| Ucb,max | 16V |
| Uce,max | - |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 5mA |
| Ft,max | - |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 20T |
| Tj,max | 75ºC |
| Аналоги | AF133 2N990 GT322V |
| Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
| Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
| to1 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |