Биполярный транзистор - 2S50
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 55mW |
| Ucb,max | 18V |
| Uce,max | - |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 24mA |
| Ft,max | 6MHz |
| Cctip,pF | 13 |
| Hfe | 70T |
| Tj,max | 65ºC |
| Аналоги | ACY17 2N1432 GT376A |
| Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
| Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
| to1 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |