Биполярный транзистор - 2S60
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 20mW |
| Ucb,max | 20V |
| Uce,max | 18V |
| Ueb,max | 10V |
| Ic,max | 5mA |
| Ft,max | 20MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 30MIN |
| Tj,max | 75ºC |
| Аналоги | AF128 2N503 GT310B |
| Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
| Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
| to44-1 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |