Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 20mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 18V |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 5mA |
Ft,max | 25MHz |
Cctip,pF | 3 |
Hfe | 67T |
Tj,max | 75ºC |
Аналоги | AF128 2N503 GT310B |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to44-1 | Распиновка |
---|---|