Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 50mW |
Ucb,max | 16V |
Uce,max | 12V |
Ueb,max | 9V |
Ic,max | 40mA |
Ft,max | 6MHz |
Cctip,pF | 12 |
Hfe | 65T |
Tj,max | 85ºC |
Аналоги | OC44N 2N503 GT310B |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to1 | Распиновка |
---|---|