Биполярный транзистор - 2S65
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Germanium |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 50mW |
| Ucb,max | 30V |
| Uce,max | 20V |
| Ueb,max | 12V |
| Ic,max | 100mA |
| Ft,max | 15MHz |
| Cctip,pF | 70 |
| Hfe | 65T |
| Tj,max | 85ºC |
| Аналоги | AF185 2N504 GT313A |
| Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
| Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
| to1 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |