Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 50mW |
Ucb,max | 25V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | 12V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 10MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 35MIN |
Tj,max | 85ºC |
Аналоги | AF185 2N504 GT313A |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to1 | Распиновка |
---|---|