Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 35mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 18V |
Ueb,max | 3V |
Ic,max | 10mA |
Ft,max | 18MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 30MIN |
Tj,max | 85ºC |
Аналоги | AF124 2N1516 GT308A |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to7 | Распиновка |
---|---|