Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 120W |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | 120V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 12A |
Ft,max | 40MHz |
Cctip,pF | 450 |
Hfe | 50/200 |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | 2N5627 |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
to3 | Распиновка |
---|---|