Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 250mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 40V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 30mA |
Ft,max | 400MHz |
Cctip,pF | 1.1 |
Hfe | 90T |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BC213 2N3494 KT3108A |
Изготовитель |
matsushitaБиполярные транзисторы matsushitaIGBT транзисторы matsushitaFET транзисторы matsushita |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|