Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 900mW |
Ucb,max | 50V |
Uce,max | 50V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 2A |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | 40 |
Hfe | 70/140 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | Medium Power, Switching |
to92 | Распиновка |
---|---|