Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 400mW |
Ucb,max | 400V |
Uce,max | 360V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 15MHz |
Cctip,pF | 4 |
Hfe | 30/200 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
necБиполярные транзисторы necIGBT транзисторы necFET транзисторы nec |
Назначение | Low Power, High Voltage, General Purpose |
to18 | Распиновка |
---|---|