Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 55V |
Uce,max | 55V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 280MHz |
Cctip,pF | 3.3 |
Hfe | 180MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BC860 2N3494 KT3108A |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
to236 | Распиновка |
---|---|