Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 140MHz |
Cctip,pF | 3.5 |
Hfe | 82/390 |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | BC860 2N3494 KT3108A |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
to236 | Распиновка |
---|---|