Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 140MHz |
Cctip,pF | 3.4 |
Hfe | 180MIN |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | 2N3931 KT667A9 |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|