Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 120W |
Ucb,max | 160V |
Uce,max | 160V |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 12A |
Ft,max | 60MHz |
Cctip,pF | 300 |
Hfe | 60/200 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | 2N6031 |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
to3 | Распиновка |
---|---|