Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 120W |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | 120V |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 12A |
Ft,max | 60MHz |
Cctip,pF | 300 |
Hfe | 60/200 |
Tj,max | 135ºC |
Аналоги | 2N6031 2SA1094 2SA1095 |
Изготовитель |
matsushitaБиполярные транзисторы matsushitaIGBT транзисторы matsushitaFET транзисторы matsushita |
Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
xm20 | Распиновка |
---|---|