Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 5W |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | 120V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 250MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 65/330 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | 2N5415S MJE350 KT505A |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | Medium Power, High Voltage |
to126 | Распиновка |
---|---|