Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 150V |
Uce,max | 150V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | 2.5 |
Hfe | 80/160 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | Power, TV Deflection |
to92 | Распиновка |
---|---|