Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 800mA |
Ft,max | 120MHz |
Cctip,pF | 19 |
Hfe | 100/200 |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|