Биполярный транзистор - 2SA1150-Y
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 300mW |
| Ucb,max | 30V |
| Uce,max | 30V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 800mA |
| Ft,max | 120MHz |
| Cctip,pF | 19 |
| Hfe | 160/320 |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
| Назначение | Medium Power, General Purpose |
| to92 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |