Биполярный транзистор - 2SA1152
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 600mW |
| Ucb,max | 80V |
| Uce,max | 80V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 300mA |
| Ft,max | 50MHz |
| Cctip,pF | 13 |
| Hfe | 200T |
| Tj,max | 125ºC |
| Аналоги | BC640 2N4029 KT684V |
| Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
| Назначение | RF, Medium Power, High Voltage |
| to92 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |