Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 400mW |
Ucb,max | 100V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | 3 |
Hfe | 600T |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | Dual |
sp9 | Распиновка |
---|---|