Биполярный транзистор - 2SA1158
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 400mW |
| Ucb,max | 80V |
| Uce,max | 80V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 100mA |
| Ft,max | 80MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 100MIN |
| Tj,max | 125ºC |
| Аналоги | BC856 2N2596 KT3108A |
| Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
| Назначение | RF, Low Power, High Voltage |
| to92 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |