Биполярный транзистор - 2SA1160
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 900mW |
| Ucb,max | 20V |
| Uce,max | 20V |
| Ueb,max | 6V |
| Ic,max | 2A |
| Ft,max | 150MHz |
| Cctip,pF | 60 |
| Hfe | 140/600 |
| Tj,max | 125ºC |
| Аналоги | BC636 2N2906 2SA1020 KT684V |
| Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
| Назначение | Power, General Purpose |
| to92 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |