Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 900mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 2A |
Ft,max | 150MHz |
Cctip,pF | 60 |
Hfe | 200/400 |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
Назначение | Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|