Биполярный транзистор - 2SA1163
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 150mW |
| Ucb,max | 120V |
| Uce,max | 120V |
| Ueb,max | - |
| Ic,max | 150mA |
| Ft,max | 100MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 200T |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | 2N6518 KT632B |
| Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
| Назначение | RF, Low Power, High Voltage |
| to236 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |