Биполярный транзистор - 2SA1170
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | pnp |
| Pc,max | 200W |
| Ucb,max | 200V |
| Uce,max | 200V |
| Ueb,max | 6V |
| Ic,max | 17A |
| Ft,max | 20MHz |
| Cctip,pF | 500 |
| Hfe | 70T |
| Tj,max | 135ºC |
| Аналоги | 2SA1216 ECG59 |
| Изготовитель |
sonyБиполярные транзисторы sonyIGBT транзисторы sonyFET транзисторы sony |
| Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
| xm20 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |