Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 90V |
Uce,max | 90V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 200MHz |
Cctip,pF | 300 |
Hfe | 800T |
Tj,max | 135ºC |
Аналоги | 2N6518 KT313B |
Изготовитель |
sonyБиполярные транзисторы sonyIGBT транзисторы sonyFET транзисторы sony |
Назначение | Low Power, Medium Voltage, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|