Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 90MHz |
Cctip,pF | 2 |
Hfe | 400T |
Tj,max | 135ºC |
Аналоги | BC416 2N6518 KT669A9 |
Изготовитель |
sonyБиполярные транзисторы sonyIGBT транзисторы sonyFET транзисторы sony |
Назначение | Low Power, Low Noise, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|