Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 15W |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | 120V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 1A |
Ft,max | 120MHz |
Cctip,pF | 30 |
Hfe | 150T |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
sonyБиполярные транзисторы sonyIGBT транзисторы sonyFET транзисторы sony |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to126 | Распиновка |
---|---|