Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 10W |
Ucb,max | 40V |
Uce,max | 40V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 3A |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | 35 |
Hfe | 80/240 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | KT814V |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | Power, General Purpose |
to126 | Распиновка |
---|---|