Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | 80V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 400mA |
Ft,max | 120MHz |
Cctip,pF | 9 |
Hfe | 140T |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | 2N5415S KT684V |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | Medium Power, High Voltage |
sp0 | Распиновка |
---|---|