Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 20W |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 1.2A |
Ft,max | 160MHz |
Cctip,pF | 29 |
Hfe | 150T |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
hitachiБиполярные транзисторы hitachiIGBT транзисторы hitachiFET транзисторы hitachi |
Назначение | RF, Medium Power, High Voltage |
to126 | Распиновка |
---|---|