Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 30V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 25mA |
Ft,max | 400MHz |
Cctip,pF | 6 |
Hfe | 25MIN |
Tj,max | 135ºC |
Аналоги | BF536 2N4080 KT363A |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to236 | Распиновка |
---|---|